技术编号:1885804
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了。负温度系数热敏电阻芯片由过渡金属氧化物粉末烧结而成,过渡金属氧化物粉末的配方由四氧化三钴Co3O4,二氧化锰MnO2,三氧化二钇Y2O3,三氧化二铬Cr2O3和/或二氧化钛TiO2按照特定的含量组成。由上述负温度系数热敏电阻芯片制备得到相应的热敏电阻。本发明的负温度系数热敏电阻芯片、热敏电阻以及其制备方法,改进了制备热敏电阻芯片的过渡金属氧化物粉末的配方,从而得到一种具有新尖晶石相结构的金属氧化物,激活能量较低,从而使得到的热敏电阻的B值较高...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。