技术编号:18858749
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及一种分体填充式坩埚保温结构。背景技术目前,坩埚使用的保温结构主要是一体式结构,受到坩埚外壁高温或坩埚内外溢气体的化学侵蚀后就无法继续使用。例如,碳化硅单晶的生长过程需要在温度达到2000℃左右下进行,晶体生长所用的保温材料通常采用石墨粘、石墨纸等耐高温且价格昂贵的碳材料制备,在长晶过程中会有硅气氛扩散到保温材料附近,与保温材料反应进而造成保温材料的侵蚀,加速保温材料的损耗。如果坩埚使用的保温结构仅因局部侵蚀而整个更换会造成严重的浪费,增加生产成本;如果继续循环多次使用,又会由于被侵...
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