技术编号:1885988
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及膜分离材料,具体是,多通道对称结构纯质碳化硅膜组成为纯质碳化硅,由10-200μm碳化硅颗粒烧结而成,具有三维空间的连通空隙结构,开孔率在35-65%,过滤表征孔径范围在1-20微米间;膜材为管状多通道结构,通过粘结剂作为碳化硅前驱体裂解反应形成新的碳化硅而烧结结合,烧结温度在900-1500℃。所制得的碳化硅膜具有纯度高、孔隙率高、强度大、通量大、使用寿命长的特点,制备方法具有能耗低、原料易得、成型容易、适合工业定制、满足规模化生产的优点。专利...
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