技术编号:18872026
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及砷化镓晶体和砷化镓晶体基板。背景技术化合物半导体基板如砷化镓晶体基板已经适合用作半导体器件的基板。需要开发一种在其上可以生长高品质的外延层的化合物半导体基板以形成具有高特性的半导体器件。T.Bunger等人在国际化合物半导体制造技术会议(2003)3.5(International Conference on Compound Semiconductor Mfg.(2003)3.5)中提出的“半绝缘GaAs的垂直梯度凝固法生长期间的活性炭控制(Active Carbon Control...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。