技术编号：18890867
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及芯片钝化技术领域，具体涉及一种含氧多晶硅钝化膜的沉积方法及具有该钝化膜的芯片。背景技术硅半导体二极管芯片，一般包括一个或多个PN结，为了保证每个PN结的电特性不受自然环境的影响，通常在制造过程中首先对结暴露于环境的那部分表面进行护封处理，一般通过在结表面覆盖一层保护膜来实现与环境的隔离，这在技术上被称为表面钝化。具有不同电特性的芯片，对于钝化的要求亦不同，通常，通过改变保护膜的种类、厚度来实现表面钝化。膜的种类依据其构成的材料可分为玻璃、氧化硅、氮化硅、半绝缘多晶硅(SIPOS)等，而...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。