技术编号:18893353
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及硅片的加工制造领域,特别涉及一种边缘损伤纵深的计算方法及装置。背景技术通常地,硅片的制造过程为:硅晶锭的生长、晶锭的滚磨、切割、研削、研磨等的多种的工序进行加工。在对晶锭进行滚磨、切割、研削、研磨等加工工序中会导致其表面区域产生机械加工损伤。另外,随着半导体的日益高度集成化,对硅片的表面特性要求趋向高品质化,能够准确分析硅片的加工损伤深度对于提高硅片制造工程的精度是尤为重要的。但是,由于垂直研磨工艺会导致硅片出现边缘部位坍塌或破碎的现象等,现有的损伤测定方法无法测量或准确测量硅片边缘处...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。