技术编号：18897228
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件可靠性测试领域，具体公开了一种自热效应测试结构及方法。背景技术近年来随着MOS(场效应晶体管)集成电路集成度提高，器件特征尺寸的不断缩小，高集成度芯片内部功耗加大，器件内部产热所造成的温升现象愈发严峻，尤其当器件进入纳米级水平，自热效应成为了制约MOSFETs器件发展的重要因素。因此如何实现对器件更为准确和可靠的自热效应检测，对于纳米级MOS器件而言，测试结构的设计和研究就显得至关重要。目前，针对自热效应测试的表征手段多种多样，主要分为电学表征法和光学表征法，通过检测不同的电...
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