技术编号:18904325
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请要求2018年4月3日提交的申请号为10-2018-0038902的韩国申请的优先权,其全部内容通过引用合并于此。技术领域本公开的各个实施例涉及半导体存储系统,更具体地,涉及半导体存储系统和修复半导体存储系统的方法。背景技术在用于储存数据的半导体存储系统中采用的半导体存储器件通常可以分为易失性半导体存储器件或非易失性半导体存储器件。易失性半导体存储器件可以通过对单位电容器充电或对单位电容器放电来存储数据。诸如动态随机存取存储器(DRAM)的易失性半导体存储器件可以在它们的电源被提供时保留它...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
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