技术编号:18904911
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体封装技术领域,具体地说,涉及一种金镓焊片制备方法及金镓焊片。背景技术目前金基焊片主要是金锡、金硅和金锗,共晶温度在280~360℃之间。金基焊片已经成为第二代半导体的芯片封接工艺的关键成型焊料。但是随着第三代半导体的芯片的应运而生,伴随着高温半导体新材料的应用和器件功率的提高,同时多芯片系统的存在,所采用的芯片材料及结构的变化,现有的金基焊片的熔化温度偏低,不能满足高温封装工艺技术的要求。高功率的半导体在封装时材料间的共晶温度需要在440℃-470℃附近,而现有的焊料无法满足现有...
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