技术编号：18905084
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于氮化镓大功率器件热管理开发技术领域，特别是一种提升片内嵌入金刚石氮化镓晶体管热输运能力的工艺方法。背景技术随着器件高功率和小型集成化的发展，现阶段在GaN功率器件的研制和应用进程中，GaN器件在高功率状态下的可靠性面临严峻挑战，导致其大功率性能优势远未充分发挥。其主要原因之一是GaN微波功率芯片在工作时存在自热效应，且随功率的增大而增加，加大了在输出大功率的同时芯片有源区的热积累效应，使器件的性能和可靠性下降，氮化镓器件芯片级热管理技术已成为大功率器件领域重要研究热点之一。目前，应用于...
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