技术编号：18905596
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于抗辐射探测器技术领域，涉及一种方形螺旋硅漂移探测器及其制备方法。背景技术探测器的种类很多，主要有正比计数器，闪烁体探测器、气体探测器、半导体探测器。各种探测器的探测原理不同。本发明的辐射探测器属于半导体探测器。辐射探测器具有广泛应用，主要应用于基础科学研究，工程探测和日常生活检测。比如，深太空成像、医学成像、粒子轨迹探测、辐射源探测。辐射被探测的原理是被探测物质与探测器相互作用并被记录。相互作用的过程主要是电离过程，在探测器内形成电子-空穴对，从而达到探测目的。半导体探测器由正电极(阳...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。