技术编号:18905709
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于磁随机存取存储器(MRAM)领域,更具体地,属于依赖自旋转移矩的MRAM器件领域。背景技术磁隧道结(MTJ)形成承诺高性能和高耐久性而且具有被缩小到极小尺寸的潜力的新的非易失性磁随机存取存储器(MRAM)的基本存储元件。磁隧道结(MTJ)由通过超薄绝缘层隔开的两个磁性电极的三明治式结构组成。这些层中的一层形成存储器或存储层,另一层形成磁性结构在MRAM的操作期间不变的参考层。在参考磁性电极与存储磁性电极之间隧穿的电流是自旋极化的:自旋极化的大小由磁性电极的电子特性和隧道势垒的“自旋过滤...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。