技术编号:18943178
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是涉及一种柱状半导体装置的制造方法。背景技术近年来,在大规模集成电路(Large Scale Integration,LSI)中使用三维结构晶体管。其中,作为柱状半导体装置的环绕式栅极晶体管(Surrounding Gate Transistor,SGT)作为提供高集成的半导体装置的半导体元件受到关注。另外,要求具有SGT的半导体装置的进一步高集成化、高性能化。在通常的平面(planar)型金属氧化物半导体(Metal Oxide Semiconductor,MOS)晶体管中,沟道在沿半导...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。