技术编号：18943181
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本申请基于2017年2月28日申请的日本专利申请第2017－037277号，在此参照其记载内容。技术领域本公开涉及具备二次成型体的半导体装置及其制造方法。背景技术以往公知有一种半导体装置，具有：一次成型体，具备半导体芯片，该半导体芯片具有检测物理量的检测部；二次成型树脂，将一次成型体中的与检测部不同的部分覆盖；框体零件，安装于二次成型树脂。在这样的结构中，一次成型体具有半导体芯片和将半导体芯片中的与检测部不同的区域覆盖的一次成型树脂。作为这样的半导体装置及其制造方法，例如已知有在专利文献1中记载...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。