技术编号:19018504
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及非易失性存储器研究领域,具体涉及一种基于有机场效应晶体管的存储器及制备方法。背景技术非易失性存储器由于在电源撤除之后仍然能够保持信息,并且可以通过一定的电学手段等进行信息的改写,因此在相关无源保存的存储器领域得以应用,并有望取代RAM的作用在许多领域如在大数据,人工智能,超级计算机中得以应用。有机场效应晶体管非易失性存储器由于其较低的相邻器件的串扰,较轻的质量,可大面积打印,可与柔性衬底兼容等特性,因此在低成本的有机打印电路等领域如有机射频识别标签RFID中也得以应用。同时,对于电子特...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。