技术编号:19022213
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种化合物半导体基板,更特别地,涉及一种具备SiC(碳化硅)层的化合物半导体基板。背景技术对于GaN(氮化镓),作为比Si(硅)带隙大、绝缘击穿电场强度高的宽带隙半导体材料而已知。GaN具有与其他宽带隙半导体材料相比更高的耐绝缘击穿性,因此被期待应用于下一代的低损耗的功率器件。在对使用了GaN的半导体器件的起始基板(基底基板)使用Si基板的情况下,容易引起如下现象:由于GaN与Si之间的晶格常数和热膨胀系数的大的差异,导致在基板中发生翘曲,或者在GaN层内发生裂纹。作为发生基板的翘曲、...
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