技术编号:19079599
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请要求于2017年3月23日提交的美国专利申请15/467,174的权益。技术领域公开了一种用于在闪存存储器系统中执行地址故障检测的系统和方法。背景技术非易失性存储器单元在本领域中是熟知的。图1中示出了一种现有技术的非易失性分裂栅存储器单元10,该非易失性分裂栅存储器单元包括五个端子。存储器单元10包括第一导电类型(诸如P型)的半导体衬底12。衬底12具有表面,在该表面上形成第二导电类型(诸如N型)的第一区14(也称为源极线SL)。同样属于N型的第二区16(也称为漏极线)形成在衬底12的该表...
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