技术编号:1908261
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。,所述高电阻率碳化硅陶瓷的组成包括1.54-3.08wt%的Al2O3、3.46-6.92wt%的Er2O3以及碳化硅,上述三种组成之和为100wt%;所述高电阻率碳化硅陶瓷含有晶化的碳化硅晶粒、包覆在晶化的碳化硅晶粒表面的非晶化碳化硅颗粒以及存在于晶化的碳化硅晶粒之间的晶界膜。专利说明 [0001] 本发明属于碳化硅陶瓷领域,具体涉及。 背景技术 [0002] 碳化硅陶瓷由于具有优良的力学性能,且具有耐磨损,耐酸碱腐蚀性强,抗氧化性 强等特点...
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