技术编号：19090514
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及硅碳制造技术领域，具体为一种硅碳负极制备设置。背景技术硅碳负极的包覆结构是在活性物质硅表面包覆碳层，缓解硅的体积效应，增强其导电性，根据包覆结构和硅颗粒形貌，包覆结构可分为核壳型、蛋黄壳型以及多孔型，现有的硅碳负极制作主要是通过将碳粉末浸入液体硅烷中，然后在浸入聚乙烯液体中，最后加热碳化得到，但是在加工过程中，工艺较为麻烦，硅碳包覆后不能及时排出，导致最终形成的颗粒较大，无法达到预期的产品需求，影响了产品的质量。实用新型内容（一）技术方案为实现上硅碳形成品颗粒不会过大的目的，本实用...
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