技术编号：1911191
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种碳化硅陶瓷真空熔覆金属涂层的方法。主要步骤包括金属混合粉末配置、膏剂制备、陶瓷表面涂覆和真空熔覆。其中金属混合粉末质量百分比组成为10~40%的Mo，15~40%的Ni（或Co），30~70%的Si；真空熔覆温度和时间分别为1250~1400℃，和10~30min。本发明可做为碳化硅与金属钎焊的过渡层的制备工艺，制备的涂层能显著改善金属与碳化硅间的润湿性能，降低或阻止碳化硅陶瓷与钎料在钎焊过程中的过度反应，从而提高陶瓷/金属钎焊的界面结合强...
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