技术编号:19120807
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请涉及半导体制造领域,具体来说,涉及一种沟槽隔离结构及其形成方法、以及包括该沟槽隔离结构的图像传感器。背景技术在图像传感器的半导体制造工艺中,经常会在半导体衬底中形成沟槽结构,一方面入射光在这些沟槽结构之间的半导体区域发生反射,以增加对光的吸收,从而提高量子效率(QE),另一方面,各像素区域中横向扩散的光生电子在扩散的过程中可以受到沟槽结构的阻挡,对入射光从衬底背面激发形成的不同波长的光生电子均能起到有效的隔离作用,从而改善电学串扰。入射光的反射率决定着灵敏度和量子效率,而进入每一像素区中的...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。