技术编号:19120899
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种功率半导体器件及其制备方法,尤其是一种低成本高可靠性的功率半导体器件及其制备方法,属于功率半导体器件的技术领域。背景技术目前,功率半导体器件飞速发展,一方面,IGBT以及VDMOS的技术不断革新,以实现优异的性能;另一方面,低成本也成为功率半导体发展的追求目标。功率半导体加工费用中,掩膜版的成本以及相应的光刻工艺往往是主要的,因此降低掩膜版数量成为降低器件成本的关键。多数的情况是,高性能器件与低成本之间往往是折中的关系,除非出现新的器件、工艺方法等等。如图1~图11所示,为现有沟槽...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。