技术编号:1913269
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及用于分离或除去研磨半导体的水等液体中杂质的多孔Si3N4及其制备方法。背景技术 作为Si3N4烧结体的原料,可以举出以Si3N4粉末作原料和以金属硅粉作原料的烧结体。WO 94/27929号公报(EP 0 653 392 A1)公开了在原料α-Si3N4粉末中添加稀土类元素化合物进行烧结,得到纵横比为3以上的柱状β-Si3N4粒子相互缠绕而成的Si3N4多孔体。该多孔体是气孔率在30%以上,平均细孔径在0.05~12μm的范围内,气孔率高且强度高...
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