技术编号:19135888
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及存储器技术领域,具体而言,涉及一种存储器参考电压的确定电路、存储器以及电子设备。背景技术目前,动态随机存储器(dram,dynamicrandomaccessmemory)在上电后需要对内存的参考电压vref进行精确校准,其对于内存系统能够正常工作起到了重要的作用。在ddr3系统中,参考电压分为两个信号,一个是为命令与地址信号服务的信号vrefca;另一个是为数据总线服务的信号vrefdq,vrefdq可以有效地提高系统数据总线的信噪等级。在ddr4/lpddr4系统及之后的dra...
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