技术编号:19146354
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于石墨烯材料技术领域,尤其涉及一种石墨烯介质层异质结构的制作方法。背景技术石墨烯介质层异质结构是指多层的石墨烯与介质层间隔设置构成的结构,可以应用在电子器件的许多方面,特别是在光电传感器、光电探测器以及太赫兹放大器等领域,这种结构将每个单层石墨烯的效果累加起来进而达到信号的增强。目前石墨烯介质层异质结构是采用转移一层石墨烯生长一层介质层的方法制作的,这种制作方法步骤繁琐,耗时长,所制作的石墨烯介质层异质结构层数较少,如何提高石墨烯介质层异质结构的制作效率,在短时间内制作具有几十层甚至上百...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。