技术编号:19146379
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体装置及其制造方法。背景技术作为以往的半导体装置的制造方法,存在如下的情况(例如,专利文献1):通过在与形成沟槽的位置的一部分重叠的位置离子注入n型杂质并进行热处理,从而在与沟槽的底面部分重叠的位置形成扩散了p型杂质的p型杂质扩散区域的情况。p型杂质扩散区域在施加电压时缓和在沟槽的底面部分产生的电场集中。先行技术文献专利文献专利文献1:日本特开2017-174989号公报但是,在这样的半导体装置中存在以下问题:在施加电压时形成反转层的沟槽的侧面部分,产生受到由离子注入引起的损伤影响...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。