技术编号：19146444
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域，具体地，涉及一种抽真空腔室及抽真空方法。背景技术随着集成电路的不断发展，对晶圆刻蚀精度以及稳定性的要求也在不断提高。在目前的晶圆刻蚀工艺中，通常是先将晶圆传输到工艺腔室的静电卡盘上，通过静电吸附进行固定，并通过静电卡盘的自身控温以及氦气的通入对晶圆温度进行精确控制。其中，将晶圆通过静电吸附固定到静电卡盘上是进行晶圆正常刻蚀的重要前提。现有技术中，传统的晶圆传输过程为，首先将晶圆从大气环境传入抽真空腔室内，然后对抽真空腔室进行抽真空处理，之后再传入真空的工艺腔室内。由于晶...
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