技术编号:19146731
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及非晶氧化物半导体与薄膜晶体管,特别是涉及一种二维非晶氧化物半导体与薄膜晶体管及其制备方法。背景技术低维材料通常包括零维(0d),一维(1d)和二维(2d)材料。在过去的几十年中,低维材料吸引了越来越多的学术研究和工业生产兴趣。随着材料从块体转变为低维状态,考虑到低维材料具有较大的比表面积和量子限制效应,可以预期其性能有明显的变化。近年来,低维材料,特别是具有独特物理和化学性质的二维材料,一直是一个重要的研究课题。众所周知,石墨烯的发现引起了人们对二维材料探索的极大兴趣。尽管石墨烯表现出...
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