技术编号：19146751
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术，尤其涉及一种基于石墨烯-二硫化钼异质结构的垂直隧穿晶体管。背景技术石墨烯在下一代电子设备中显示出显著的电子特性和广阔的应用前景。然而，石墨烯场效应晶体管的性能是有限的。由于它的零能带隙，导致开关比小于10。为了解决这一问题，提出了石墨烯纳米带的模式,然而，由于不理想的线路边缘混乱，垂直隧穿石墨烯场效应晶体管的性能受到限制。此外，在双层石墨烯中诱导带隙需要很高的电场，这在集成电路中是很难实现的。增加石墨烯设备的开关比的可替代方法是利用基于隧道的设备架构。基于二维材料的隧穿场效...
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