技术编号：19153994
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。相关申请的交叉引用本申请要求于2018年5月8日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请no.10-2018-0052387的优先权，其公开内容通过引用并入本文。本发明涉及一种相移空白掩膜和光掩膜，并且更具体地涉及这样一种相移空白掩膜和光掩膜，其中通过相对于290nm至450nm范围内的复合波长的曝光光线的相移现象，光刻对象的图案精度得到改善。背景技术在用于制造包括薄膜晶体管(tft)-液晶显示器(lcd)、有机发光二极管(oled)、等离子显示板(pdp)等的平板显示器(fpd)装置或半导体集成电路...
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