技术编号:19155811
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于二维半导体材料技术领域,具体涉及单层二硫化钼的制备方法。技术背景二硫化钼(mos2)是一种典型的新型二维半导体材料,具有优异的光学和电学性质。单层二硫化钼具有三明治的夹心结构,其中两层硫原子间夹着一层钼原子,每一个钼原子周围分布着6个硫原子,每一个硫原子周围分布着3个钼原子,它们以强烈的共价键结合。块体二硫化钼层与层之间是通过范德华力结合,随着层数的减少,其带隙会由多层的间接带隙变成单层的直接带隙半导体。单层二硫化钼的带隙大约为1.8ev,具有良好的载流子输运性能,作为与石墨烯互补的新...
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