技术编号:19156897
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及甲硅烷基胺化合物,用于沉积含硅薄膜的含有该甲硅烷基胺化合物的组合物,以及使用该组合物制造含硅薄膜的方法,并且更具体地,涉及作为前体在沉积含硅薄膜方面非常有用的新型甲硅烷基胺化合物,用于沉积含硅薄膜的含有该新型甲硅烷基胺化合物的组合物,以及使用该组合物制造含硅薄膜的方法。背景技术含硅薄膜是通过半导体领域中的各种沉积工艺制造的,从而被制造成各种形式,诸如硅膜、氧化硅膜、氮化硅膜、碳氮化硅膜和氧氮化硅膜,并且含硅薄膜可以应用于各种领域。特别地,由于氧化硅膜和氮化硅膜具有显著优异的阻挡性和抗氧...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。