技术编号：19159578
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本专利文档大体上涉及自旋转移力矩磁性随机存取存储器，且更特定来说，涉及磁性隧道结堆叠，所述磁性隧道结堆叠通过使用进动自旋电流结构而在磁性隧道结结构中具有性能经改进的自由层，所述进动自旋电流结构通过使用铁磁材料及非磁性间隔物层而具有面内各向异性。背景技术磁阻式随机存取存储器(“mram”)为通过磁性存储元件存储数据的非易失性存储器技术。这些元件为可保持磁化且被非磁性材料(例如非磁性金属或绝缘体)分离的两个铁磁板或电极。一般来说，板中的一者使其磁化钉扎(即，“参考层”)，意指此层具有比另一层高的矫顽...
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