技术编号:19160637
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及铝碳化硅材料技术领域,尤其是涉及铝碳化硅材料的制备方法,应用该制备方法制得的铝碳化硅材料,应用该铝碳化硅材料的电子封装,以及实施该制备方法的模具。背景技术sicp/al材料(铝基碳化硅复合材料)广泛应用于制备igbt模块等半导体器件的电子封装的散热基板,此种散热基板要求与igbt模块的接触部位(即表面)具有较高的sic含量,以使得散热基板与igbt模块具有相匹配的膨胀系数。目前多数采用浸渗法制备sicp/al散热基板,即先制备sic骨架,然后使铝合金熔体从sic骨架的表面渗入,然而浸渗...
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