技术编号：19160755
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体溅射靶材制备的技术领域，尤其是涉及一种钴靶坯整平方法及夹具。背景技术半导体磁控溅射中需要用到超高纯钴靶材，由于钴是磁性材料，要能满足磁控溅射要求，必须保证透磁率，即穿透钴靶材的磁场强度与原磁场强度的百分比值大于等于百分之七十。冷轧或者低温轧制工艺是保证钴靶材透磁率的有效方式。但是，轧制获得的钴靶坯变形严重。为了保证透磁率满足要求，冷轧后的钴靶坯只能在低温下退火，因为温度过高的话，钴靶坯的透磁率将大幅度下降。然而，此温度下对钴靶坯进行退火并不能使钴靶坯的平面度也满足要求。所以，现有...
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