技术编号:19160981
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种多晶炉,且特别是涉及一种用于长晶的多晶炉装置。背景技术在半导体元件的生产领域中,多晶炉是用于生产多晶硅碇的设备。现有的多晶炉包括炉体与配置在炉体内的坩埚,坩埚用以加热高纯度多晶硅至熔融状态。随后再进行冷却步骤,冷却坩埚以使熔融状态的多晶硅逐渐凝固形成结晶,最终得到所需的晶碇。为了减少坩埚加热时的电力消耗,现有的多晶炉会在坩埚及热交换器外部会间隔设置隔热组件,使热能(thermalenergy)可保持在隔热组件内以维持坩埚的加热温度。当进行冷却步骤时,向上开启隔热组件使坩埚底部周围缝...
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