技术编号:19160998
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种用于磷化铟表面孪晶识别的腐蚀液及腐蚀方法,属于半导体材料领域。背景技术作为一种重要的ⅲ--ⅴ族化合物半导体材料,磷化铟(inp)具有很多优良的性能,如:直接跃迁型能带结构、禁带宽度较宽、光电转换效率较高、电子迁移率高、抗辐射能力较强等。因此,磷化铟被广泛应用于高频微波器件和电路、太阳能电池、光纤通信等领域。目前,随着以磷化铟为衬底的微电子和光电子等器件的发展,对材料提出了更高的要求,磷化铟单晶中是否含有孪晶对磷化铟外延至关重要。由于磷化铟的堆垛层错能在几种半导体材料中最低,因此磷化...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。