技术编号：19161002
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术领域，具体地，涉及一种生长炉用坩埚托盘及生长炉。背景技术单晶材料(如碳化硅、氮化镓、金刚石等)的生长是半导体材料的制备过程中非常重要的一步，其通常在生长炉中进行。具体地，通常是先将晶体放入坩埚中，然后将盛有晶体的坩埚放入生长炉中，进行单晶的生长。坩埚作为晶体生长的腔室，坩埚的水平度将直接影响晶体的晶型及厚度等关键参数，所以在进行工艺之前，都需要对坩埚进行调平。坩埚通常放置在坩埚托盘上进行工艺，可以通过调节坩埚托盘来调节坩埚的水平度。常用的坩埚托盘的结构图1和图2所示，包括托盘...
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