技术编号：19179103
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及存储器技术领域，具体涉及一种三维阻变存储阵列、译码电路以及存储系统。背景技术随着大数据时代的到来，超高密度、超大容量的非易失性存储技术成为了实现海量信息存储的关键。传统以平面微缩提高存储密度的二维架构已远不能满足数据爆炸式增长对高密度存储器的需求，三维集成已成为未来存储技术发展的主要趋势。在众多的新型不挥发存储器中，阻变存储器(rram，resistiverandomaccessmemory)由于其结构简单、易于三维堆叠等优势，被认为是最有潜力的新型存储技术之一。1t1r(一晶体管一电...
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