技术编号：19179115
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种nandflash的操作检测方法，属于存储器技术领域。背景技术nandflash是一种非易失性随机访问存储介质，广泛应用于ssd、u盘、闪存阵列等固态存储领域。nandflash的基本操作包括读取、写入和擦除，每种操作都需要消耗一定的内部时间，操作的结束标志为r/b信号线为高电平或者checkstatus为ready。传统的操作检测方式是一直对读取、写入、擦写操作进行检测，根据结束标志判断操作是否完成。由于nandflash的读取、写入和擦除的耗时tread<twrite&l...
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