技术编号：19179121
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体存储器应用技术领域，特别是一种擦失效存储单元的替换方法、装置、设备及存储介质。背景技术部分非易失性存储芯片在生产出来后会有少量存储单元(cell)是坏的，失效的存储单元无法进行正常的读、写和擦操作中的一种或多种，如果不对这些失效的存储单元进行修复处理，整个存储芯片将会报废，通常norflash设计公司会在存储芯片内部预留一部分存储单元，用于替换那些失效的cell。传统的测试方法中擦(erase)测试是由测试机对存储芯片发送擦操作指令开始，擦操作流程根据校验情况包含四个不同的子操作...
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