技术编号:19179789
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。相关申请的交叉引用本申请要求于2018年05月10日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2018-0053886的韩国专利申请的优先权,其公开内容通过引用整体并入本文。本公开涉及半导体装置制造,更具体地,涉及清洁液体喷嘴、清洁设备和使用其制造半导体装置的方法。背景技术现代半导体装置具有高集成度。因此,这些装置具有精细图案、多层电路等。由于半导体装置制造可能导致在处理期间释放的颗粒污染图案,因此已经开发了用于去除这些污染颗粒的各种清洁工艺。这些清洁工艺可包括湿法清洁工艺和/或干法清洁工艺。特别地,...
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