技术编号：19187186
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实施方式涉及功率模块及其制造方法。背景技术作为功率模块的一种，以往已知下述功率模块：在包含绝缘栅双极晶体管(igbt：insulatedgatebipolartransistor)那样的功率元件(芯片)的半导体器件外围，用树脂成型。工作状态下，半导体器件发热，因此一般在基板的背面侧配置散热片、散热鳍等散热器而散热，将半导体器件冷却。尤其是近年来，为了低热阻化，基板部的厚铜化正在不断推进。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2015-195415号公报非专利文献非专利文献1：梨子田典弘、日向...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。