技术编号:1918869
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于陶瓷材料制备领域,涉及到TiC陶瓷粉体制备。TiC是一种常用的面心立方晶体结构陶瓷材料,具有高硬度、高熔点、高导电性和很高的化学稳定性,在机械、化工及电子等具有广泛的应用背景。现有技术制备TiC陶瓷粉体的主要方法是利用碳与金属Ti直接反应是制取碳化物粉末,或采用TiO2粉与石墨C在高温下合成TiC陶瓷,或者采用TiO2与碳黑在通氢气的碳管炉或高频真空炉(1800K~2100K)中反应制得TiC粉末。现有技术的缺点是制备温度高、工艺复杂、成本高。为...
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