技术编号：19191487
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域，具体地，涉及一种腔室及半导体加工设备。背景技术物理气相沉积或溅射沉积技术是在集成电路制造过程中一道非常重要的工艺流程，主要应用于芯片中导线的制作、阻挡层的生成、金属硬掩膜的形成等。在金属硬掩膜的物理气相沉积工艺中，晶片需要依次进行两个步骤：1)去气工艺；2)tin阻挡层工艺。tin阻挡层工艺主要是在晶片上沉积一层tin薄膜。该工艺一般在高真空的腔室内一个相对密闭的空间中进行，构成这个密闭空间的零件包括靶材、基座和工艺组件等。而且，在腔室空闲时，需要对腔室内的工艺组件进行...
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