技术编号:19241933
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明特别涉及一种基于二维电子气调控背栅的二维材料晶体管、制法和应用,属于半导体电子器件技术领域。背景技术石墨烯等二维材料的出现和成功制备为各领域的发展注入了新的活力,二维材料种类包括金属、半导体及绝缘体,其中,具有半导体特性的二维材料在微电子器件方面有着广阔的应用前景。但受到二维材料本身材料的限制,并不适合制作高功率和高耐压器件。并且由于缺乏有效的性能表征手段,二维材料的发展受到了极大的限制。现有的二维材料场效应晶体管多利用二维材料作为沟道层制备场效应晶体管,其结构如图1所示,其自下而上依次有...
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