技术编号:1924361
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种陶瓷材料的制备方法,特别是一种先驱体聚碳硅烷浸渍多孔BN陶瓷基体然后裂解制备BN/SiO2复合材料的方法。背景技术BN、SiO2陶瓷由于它们的介电常数,介电损耗都很小,导热性、抗热震性、化学稳定性也很优越,是优异的高温透波材料。以往制备BN/SiO2复合材料往往采用热压烧结的方法,典型的热压烧结工艺为压力10~30Mpa,温度为1600~1800℃,致密度达到95%。但现有的热压烧结方法存在以下问题热压烧结后的组织呈现定向排列,性能表现为各向...
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