技术编号：19253203
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于压力传感器技术领域，具体涉及一种双向应变的mems压力传感器制备方法及其传感器。背景技术压力是工业生产中的重要参数之一，为了保证安全、高效的生产，必须对压力进行实时监测和控制。mems压力传感器具有体积小、质量轻、成本低、功耗低、可靠性高、适于批量化生产、易于集成和实现智能化等优点。按工作原理分类，mems压力传感器可以分为压阻式、压电式和电容式等几类。压阻式mems压力传感器一般采用半导体作为压力敏感膜，并采用惠斯通电桥测量敏感膜阻值的变化，进而实现压力测量。kistler、kuli...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。