技术编号:1929999
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种纳米结构Co(OH)2薄膜及其制备方法,属于纳米材料领域。 背景技术氢氧化钴、氧化钴、金属钴是制造MH-Ni,锂离子等可充电电池的几种关键材料之一。近年来研究认为氧化钴、氢氧化钴是一种性能优异的电池添加剂。它能够明显改善电池的性能提高电池的比容量和高输出功率,提高电池的充放电循环寿命,提高耐过充电能力及减少自放电现象等,使蓄电池向高能、小型、轻量、安全、无污染等方面发展成为可能。 钴氢氧化物膜电极具有较强的稳定性、重现性且对一些在生物和环境领...
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