技术编号:19311873
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于铁电薄膜技术领域,具体涉及一种lamno3调控bi4ti3o12带隙的过渡金属氧化物铁电薄膜及其制备方法。背景技术带隙(eg)调控是当前材料研究和光电器件应用的核心。通过调控半导体的带隙,可实现带隙定制的异质结构制备,如二维电子气和隧道结构。这些研究对量子电动力学的物理机制的理解提供了依据,进而促进了更多相关设备的出现。此外,调节eg的能力对于开发高效太阳能电池和透明导电氧化物变得越来越重要。如通过用in或al代替传统的iii-v半导体gaas(eg=1.42ev)中的ga,可将其eg...
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